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VDMOS产品
一、 产品选型
1、60V到200V的VDMOS产品,主要应用于电源管理及DC/DC转换器、UPS电源及汽车应用等;
2、大于200V的VDMOS产品,用于开关电源、工业电机控制及电子整流器等;
3、 后继将开发和生产低于60V的产品,应用于电池管理及DC/DC转换器等。
项目产品类型
序号
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产品型号
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电压(V)
|
电流(A)
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1
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50N06
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60
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50
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2
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75NF75
|
75
|
75
|
5
|
IRF630
|
200
|
9
|
6
|
IRF640
|
200
|
18
|
7
|
IRF634
|
250
|
8
|
9
|
IRF730
|
400
|
5
|
10
|
IRF740
|
400
|
10
|
11
|
IRF830
|
500
|
4.5
|
12
|
IRF840
|
500
|
9
|
13
|
1N60
|
600
|
1
|
14
|
7N60
|
600
|
7
|
15
|
7N80
|
800
|
7
|
16
|
1N80
|
800
|
1
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17
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9N90
|
900
|
9
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18
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6N90
|
900
|
6
|
二、 技术特点
与双极型功率器件相比,功率VDMOS具有如下特点:
1、VDMOS是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较简单;
2、输入阻抗高,可达108Ω以上;
3、工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗小;
4、有较优良的线性区,并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多,所以它的交流输入阻抗极高;噪声也小,最合适制作Hi-Fi音响;
5、功率VDMOS可以多个并联使用,增加输出电流而无需均流电阻。
三、技术优势
掌握了具有自主常识产权的量产关键技术:
1、实现产品设计、生产工艺与硅外延材料的最佳匹配;
2、实现对栅氧化膜膜厚均匀性与氧化层击穿韧性的控制;
3、通过设备改造实现静电防护并改变P阱内杂质分布,提高产品动态特性;
4、优化和完善铝下钝化工艺,提高产品特性和生产良品率。
四、工艺技术路线
以中压N沟道平面工艺的VDMOS产品为突破口,完成60V到800V产品的系列化,在此基础上,向低压凹槽工艺的VDMOS产品延伸,同时实现P沟道VDMOS产品的开发。通过技术交流或技术转移寻找技术合作伙伴,进入IGBT和快恢复二极管领域。
五、年产量
集团企业利用自主常识产权,实施VDMOS生产线建设、厂房和动力设施建设,通过工艺集成和实用产品的试流,对工艺进行优化,实现大功率VDMOS产品规模生产,已形成年产